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LT1910ES8#TRPBF

LT1910ES8#TRPBF

참조 용

부품 번호 LT1910ES8#TRPBF
PNEDA 부품 번호 LT1910ES8-TRPBF
설명 IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC
제조업체 Linear Technology/Analog Devices
단가 견적 요청
재고 있음 8,678
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 29 - 4월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

LT1910ES8#TRPBF 리소스

브랜드 Linear Technology/Analog Devices
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호LT1910ES8#TRPBF
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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  • LT1910ES8#TRPBF Distributor

LT1910ES8#TRPBF 사양

제조업체Linear Technology/Analog Devices
시리즈-
구동 구성High-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급8V ~ 48V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)-
작동 온도-40°C ~ 85°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

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드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 15.6V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

RC Input Circuit

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 45ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IPN10ELSXUMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 40V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

400mA, 400mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

380ns, 380ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

PG-SSOP-14

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.5V ~ 13.5V

논리 전압-VIL, VIH

2V, 4V; 3V, 6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

180mA, 200mA

입력 유형

RC Input Circuit

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

550V

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

24-SO

MP1921HQE-A-LF-Z

Monolithic Power Systems Inc.

제조업체

Monolithic Power Systems Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.5A, 2.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

120V

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 9ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

9-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

9-QFN (3x3)

TC1427EPA

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.2A, 1.2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

35ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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