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LTC7001MPMSE#TRPBF

LTC7001MPMSE#TRPBF

참조 용

부품 번호 LTC7001MPMSE#TRPBF
PNEDA 부품 번호 LTC7001MPMSE-TRPBF
설명 IC GATE DRVR N-CH MOSFET 10MSOP
제조업체 Linear Technology/Analog Devices
단가 견적 요청
재고 있음 3,204
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예상 배송 2월 27 - 3월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

LTC7001MPMSE#TRPBF 리소스

브랜드 Linear Technology/Analog Devices
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호LTC7001MPMSE#TRPBF
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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  • LTC7001MPMSE#TRPBF Distributor

LTC7001MPMSE#TRPBF 사양

제조업체Linear Technology/Analog Devices
시리즈-
구동 구성High-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급3.5V ~ 15V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)90ns, 40ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
공급자 장치 패키지10-MSOP-EP

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Infineon Technologies

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2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

150ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

LTC1154HS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

UCC37322DRG4

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제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1.1V, 2.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IR2131JPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 40ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-LCC (J-Lead), 32 Leads

공급자 장치 패키지

44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)

IRS2113SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

6V, 9.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.5A, 2.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 17ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

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