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LTE-R38386-S

LTE-R38386-S

참조 용

부품 번호 LTE-R38386-S
PNEDA 부품 번호 LTE-R38386-S
설명 EMITTER IR 850NM 1A SMD
제조업체 Lite-On Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 5,814
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

LTE-R38386-S 리소스

브랜드 Lite-On Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호LTE-R38386-S
분류옵토 일렉트로닉스적외선, UV, 가시광 방출기적외선, UV, 가시광 방출기
데이터 시트
LTE-R38386-S, LTE-R38386-S 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 535.58 KB)
PDFLTE-R38386-S 데이터 시트 표지
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  • LTE-R38386-S Distributor

LTE-R38386-S 사양

제조업체Lite-On Inc.
시리즈-
유형Infrared (IR)
전류-DC 순방향 (If) (최대)1A
방사 강도 (Ie) Min @ If160mW/sr @ 1A
파장850nm
전압-순방향 (Vf) (통상)1.8V
시야각90°
방향Top View
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스2-SMD, No Lead Exposed Pad

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전압-순방향 (Vf) (통상)

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전류-DC 순방향 (If) (최대)

1.2A

방사 강도 (Ie) Min @ If

-

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전압-순방향 (Vf) (통상)

3.7V

시야각

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유형

Infrared (IR)

전류-DC 순방향 (If) (최대)

100mA

방사 강도 (Ie) Min @ If

-

파장

1200nm

전압-순방향 (Vf) (통상)

0.99V

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방향

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작동 온도

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Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

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유형

Infrared (IR)

전류-DC 순방향 (If) (최대)

100mA

방사 강도 (Ie) Min @ If

8mW/sr @ 100mA

파장

830nm

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.45V

시야각

120°

방향

Top View

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

Opto Diode Corp

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유형

Infrared (IR)

전류-DC 순방향 (If) (최대)

100mA

방사 강도 (Ie) Min @ If

-

파장

880nm

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.55V

시야각

80°

방향

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