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M1MA152AT1

M1MA152AT1

참조 용

부품 번호 M1MA152AT1
PNEDA 부품 번호 M1MA152AT1
설명 DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,010
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

M1MA152AT1 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M1MA152AT1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
M1MA152AT1, M1MA152AT1 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 46.19 KB)
PDFM1MA152AT1G 데이터 시트 표지
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M1MA152AT1 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)80V
전류-평균 정류 (Io)100mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 100mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)3ns
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 75V
커패시턴스 @ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SC-59
작동 온도-접합150°C (Max)

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-

다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

15µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

작동 온도-접합

125°C (Max)

DSB0.2A40

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제조업체

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시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

510mV @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

작동 온도-접합

-65°C ~ 125°C

VS-80APF02-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

80A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 80A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

190ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

1F7G-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 40V

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

12pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

R-1, Axial

공급자 장치 패키지

R-1

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

1SS403,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

60ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

3pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

USC

작동 온도-접합

125°C (Max)

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