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M24C08-RDW6TP

M24C08-RDW6TP

참조 용

부품 번호 M24C08-RDW6TP
PNEDA 부품 번호 M24C08-RDW6TP
설명 IC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8TSSOP
제조업체 STMicroelectronics
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M24C08-RDW6TP 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M24C08-RDW6TP
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M24C08-RDW6TP, M24C08-RDW6TP 데이터 시트 (총 페이지: 43, 크기: 772.64 KB)
PDFM24C08-WMN6T 데이터 시트 표지
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M24C08-RDW6TP 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기8Kb (1K x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수400kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간900ns
전압-공급1.8V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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기술

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메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-VFBGA

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메모리 포맷

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

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전압-공급

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작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-LFBGA

공급자 장치 패키지

96-LFBGA (10x14)

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

96ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-VBGA

공급자 장치 패키지

24-FBGA (6x8)

N01L63W3AT25I

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

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-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

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장착 유형

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