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M27C1001-10B1

M27C1001-10B1

참조 용

부품 번호 M27C1001-10B1
PNEDA 부품 번호 M27C1001-10B1
설명 IC EPROM 1M PARALLEL 32DIP
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 6,300
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 3 - 3월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

M27C1001-10B1 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M27C1001-10B1
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M27C1001-10B1, M27C1001-10B1 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 159.87 KB)
PDFM27C1001-35C6 데이터 시트 표지
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M27C1001-10B1 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EPROM
기술EPROM - OTP
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간100ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스32-DIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지32-PDIP

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Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

5MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UFBGA, CSPBGA

공급자 장치 패키지

8-VCSP50L2 (2.09x1.85)

PC28F512M29AWHB TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (11x13)

제조업체

Macronix

시리즈

MXSMIO™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

300µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

PC28F512G18FE

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

StrataFlash™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

96ns

접근 시간

96ns

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-TBGA

공급자 장치 패키지

64-EasyBGA (8x10)

MT41K64M16TW-107 XIT:J

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (8x14)

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