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M27C64A-10F1

M27C64A-10F1

참조 용

부품 번호 M27C64A-10F1
PNEDA 부품 번호 M27C64A-10F1
설명 IC EPROM 64K PARALLEL 28CDIP
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,888
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

M27C64A-10F1 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M27C64A-10F1
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M27C64A-10F1, M27C64A-10F1 데이터 시트 (총 페이지: 22, 크기: 189.22 KB)
PDFM27C64A-20F6 데이터 시트 표지
M27C64A-20F6 데이터 시트 페이지 2 M27C64A-20F6 데이터 시트 페이지 3 M27C64A-20F6 데이터 시트 페이지 4 M27C64A-20F6 데이터 시트 페이지 5 M27C64A-20F6 데이터 시트 페이지 6 M27C64A-20F6 데이터 시트 페이지 7 M27C64A-20F6 데이터 시트 페이지 8 M27C64A-20F6 데이터 시트 페이지 9 M27C64A-20F6 데이터 시트 페이지 10 M27C64A-20F6 데이터 시트 페이지 11

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M27C64A-10F1 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EPROM
기술EPROM - UV
메모리 크기64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간100ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
공급자 장치 패키지28-CDIP Frit Seal with Window

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-VSOP

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제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

80-LQFP

공급자 장치 패키지

80-TQFP (14x14)

IDT71256SA25Y8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOJ

CY7C1399BN-12VXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOJ

MT40A4G4FSE-083E:A TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR4

메모리 크기

16Gb (4G x 4)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.2GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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