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M27C801-100K1

M27C801-100K1

참조 용

부품 번호 M27C801-100K1
PNEDA 부품 번호 M27C801-100K1
설명 IC EPROM 8M PARALLEL 32PLCC
제조업체 STMicroelectronics
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M27C801-100K1 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M27C801-100K1
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M27C801-100K1, M27C801-100K1 데이터 시트 (총 페이지: 24, 크기: 207.21 KB)
PDFM27C801-90F1 데이터 시트 표지
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M27C801-100K1 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EPROM
기술EPROM - OTP
메모리 크기8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간100ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지32-PLCC (11.35x13.89)

관심을 가질만한 제품

NAND01GW3A0AN6E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

30ns

접근 시간

30ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

5962-8687505XA

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

8K (1K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

48-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

48-SIDE BRAZED

DS1220AB-100+

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

4.75V ~ 5.25V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

24-DIP Module (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

24-EDIP

MR2A16AVYS35

Everspin Technologies Inc.

제조업체

Everspin Technologies Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

MRAM (Magnetoresistive RAM)

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP2

AS4C512M32MD3-15BCN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR3

메모리 크기

16Gb (512M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

178-FBGA (11x11.5)

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