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M29DW323DT70ZE6E

M29DW323DT70ZE6E

참조 용

부품 번호 M29DW323DT70ZE6E
PNEDA 부품 번호 M29DW323DT70ZE6E
설명 IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
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M29DW323DT70ZE6E 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M29DW323DT70ZE6E
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M29DW323DT70ZE6E, M29DW323DT70ZE6E 데이터 시트 (총 페이지: 52, 크기: 1,120.09 KB)
PDFM29DW323DT70N6E 데이터 시트 표지
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M29DW323DT70ZE6E 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기32Mb (4M x 8, 2M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지70ns
접근 시간70ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스48-TFBGA
공급자 장치 패키지48-TFBGA (6x8)

관심을 가질만한 제품

7035L20PF8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

144Kb (8K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

MT46V8M16TG-6T L:D TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP

AT28C040-20FC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

200ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-CFlatpack

공급자 장치 패키지

32-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed

MT53E384M32D2DS-053 AIT:E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

12Gb (384M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1.866GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

0.6V, 1.1V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

S34ML08G101TFI003

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

ML-1

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

8Gb (1G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

NTJD4152PT1G

NTJD4152PT1G

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