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M3045S-E3/4W

M3045S-E3/4W

참조 용

부품 번호 M3045S-E3/4W
PNEDA 부품 번호 M3045S-E3-4W
설명 DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO220AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 6,804
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

M3045S-E3/4W 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M3045S-E3/4W
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
M3045S-E3/4W, M3045S-E3/4W 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 139.28 KB)
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M3045S-E3/4W 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)45V
전류-평균 정류 (Io)30A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If700mV @ 30A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr200µA @ 45V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

7.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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작동 온도-접합

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ON Semiconductor

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-123F

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RB521SM-30T2R

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

470mV @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

975mV @ 6A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

100pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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DO-201AD

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