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M34E02-FDW1TP

M34E02-FDW1TP

참조 용

부품 번호 M34E02-FDW1TP
PNEDA 부품 번호 M34E02-FDW1TP
설명 IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 7,452
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

M34E02-FDW1TP 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M34E02-FDW1TP
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M34E02-FDW1TP, M34E02-FDW1TP 데이터 시트 (총 페이지: 36, 크기: 1,128.29 KB)
PDFM34E02-FMB1TG 데이터 시트 표지
M34E02-FMB1TG 데이터 시트 페이지 2 M34E02-FMB1TG 데이터 시트 페이지 3 M34E02-FMB1TG 데이터 시트 페이지 4 M34E02-FMB1TG 데이터 시트 페이지 5 M34E02-FMB1TG 데이터 시트 페이지 6 M34E02-FMB1TG 데이터 시트 페이지 7 M34E02-FMB1TG 데이터 시트 페이지 8 M34E02-FMB1TG 데이터 시트 페이지 9 M34E02-FMB1TG 데이터 시트 페이지 10 M34E02-FMB1TG 데이터 시트 페이지 11

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M34E02-FDW1TP 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기2Kb (256 x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수400kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간900ns
전압-공급1.7V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-WBGA (9x13)

S70KS1281DPBHV023

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

36ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-VBGA

공급자 장치 패키지

24-FBGA (6x8)

CY62127DV30LL-55ZXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

FT24C32A-ESG-T

Fremont Micro Devices Ltd

제조업체

Fremont Micro Devices Ltd

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

70V9179L7PF8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

288Kb (32K x 9)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

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