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M48Z12-150PC1

M48Z12-150PC1

참조 용

부품 번호 M48Z12-150PC1
PNEDA 부품 번호 M48Z12-150PC1
설명 IC NVSRAM 16K PARALLEL 24PCDIP
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 369
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

M48Z12-150PC1 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M48Z12-150PC1
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M48Z12-150PC1, M48Z12-150PC1 데이터 시트 (총 페이지: 22, 크기: 338.29 KB)
PDFM48Z12-200PC1 데이터 시트 표지
M48Z12-200PC1 데이터 시트 페이지 2 M48Z12-200PC1 데이터 시트 페이지 3 M48Z12-200PC1 데이터 시트 페이지 4 M48Z12-200PC1 데이터 시트 페이지 5 M48Z12-200PC1 데이터 시트 페이지 6 M48Z12-200PC1 데이터 시트 페이지 7 M48Z12-200PC1 데이터 시트 페이지 8 M48Z12-200PC1 데이터 시트 페이지 9 M48Z12-200PC1 데이터 시트 페이지 10 M48Z12-200PC1 데이터 시트 페이지 11

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M48Z12-150PC1 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷NVSRAM
기술NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지150ns
접근 시간150ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지24-PCDIP, CAPHAT®

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제조업체

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시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

117MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

RM24C64C-BSNC-T

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제조업체

Adesto Technologies

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

CBRAM®

기술

CBRAM

메모리 크기

64kb (32B Page Size)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

750kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100µs, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

CY62148EV30LL-45BVXI

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

36-VFBGA

공급자 장치 패키지

36-VFBGA (6x8)

CAT93C56LI-G

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

709089L9PF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

9ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

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