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M48Z35Y-70MH6E

M48Z35Y-70MH6E

참조 용

부품 번호 M48Z35Y-70MH6E
PNEDA 부품 번호 M48Z35Y-70MH6E
설명 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28SOH
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 2,790
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 10월 1 - 10월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

M48Z35Y-70MH6E 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M48Z35Y-70MH6E
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M48Z35Y-70MH6E, M48Z35Y-70MH6E 데이터 시트 (총 페이지: 24, 크기: 408.96 KB)
PDFM48Z35Y-70MH6E 데이터 시트 표지
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M48Z35Y-70MH6E 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷NVSRAM
기술NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지70ns
접근 시간70ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets
공급자 장치 패키지28-SOH

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

M50FLW080BK5G

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

33MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

250ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-20°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (11.35x13.89)

S34ML01G100TFA003

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

ML-1

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

NSEC53K008-IT

Insignis Technology Corporation

제조업체

Insignis Technology Corporation

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND (MLC)

메모리 크기

8Gb (1G x 8)

메모리 인터페이스

eMMC

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

3.3V

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

153-VFBGA

공급자 장치 패키지

153-FBGA (11.5x13)

AS6C6416-55BIN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-LFBGA

공급자 장치 패키지

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