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M58LR128KT85ZB6E

M58LR128KT85ZB6E

참조 용

부품 번호 M58LR128KT85ZB6E
PNEDA 부품 번호 M58LR128KT85ZB6E
설명 IC FLASH 128M PARALLEL 56VFBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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M58LR128KT85ZB6E 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M58LR128KT85ZB6E
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M58LR128KT85ZB6E, M58LR128KT85ZB6E 데이터 시트 (총 페이지: 121, 크기: 2,394.17 KB)
PDFM58LR256KT70ZQ5E 데이터 시트 표지
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M58LR128KT85ZB6E 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수66MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지85ns
접근 시간85ns
전압-공급1.7V ~ 2V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스56-VFBGA
공급자 장치 패키지56-VFBGA (7.7x9)

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메모리 인터페이스

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

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접근 시간

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전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

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메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

SNT-8A

DS2433X#T

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제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (256 x 16)

메모리 인터페이스

1-Wire®

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

2µs

전압-공급

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VBGA, FCBGA

공급자 장치 패키지

6-FlipChip (2.82x2.54)

CY7C09379V-12AXCT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

576Kb (32K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

50MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

AT27BV256-90RI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

28-SOIC

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