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M58LT128HSB8ZA6F TR

M58LT128HSB8ZA6F TR

참조 용

부품 번호 M58LT128HSB8ZA6F TR
PNEDA 부품 번호 M58LT128HSB8ZA6F-TR
설명 IC FLASH 128M PARALLEL 80LBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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M58LT128HSB8ZA6F TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M58LT128HSB8ZA6F TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M58LT128HSB8ZA6F TR, M58LT128HSB8ZA6F TR 데이터 시트 (총 페이지: 110, 크기: 2,016.24 KB)
PDFM58LT128HST8ZA6F TR 데이터 시트 표지
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M58LT128HSB8ZA6F TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수52MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지85ns
접근 시간85ns
전압-공급1.7V ~ 2V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스80-LBGA
공급자 장치 패키지80-LBGA (10x12)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

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기술

FLASH - NOR, Mobile LPDDR SDRAM

메모리 크기

256Mb (16M x 16), 512M (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

70ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

133-VFBGA

공급자 장치 패키지

133-VFBGA (8x8)

IS61NLP102418-200B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-TFBGA (13x15)

MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

32Gb (512M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1866MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

556-WFBGA

공급자 장치 패키지

556-WFBGA (12.4x12.4)

CY7C1347G-166AXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.5ns

전압-공급

3.15V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

IS62WV51216BLL-55BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.5V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

48-miniBGA (7.2x8.7)

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