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M93C66-WDW6TP

M93C66-WDW6TP

참조 용

부품 번호 M93C66-WDW6TP
PNEDA 부품 번호 M93C66-WDW6TP
설명 IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8TSSOP
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 163,137
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 9 - 3월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

M93C66-WDW6TP 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M93C66-WDW6TP
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M93C66-WDW6TP, M93C66-WDW6TP 데이터 시트 (총 페이지: 35, 크기: 1,255.77 KB)
PDFM93C66-RMB6TG 데이터 시트 표지
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M93C66-WDW6TP 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기4Kb (512 x 8, 256 x 16)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수2MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간-
전압-공급2.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-SOIC (0.496", 12.60mm Width)

공급자 장치 패키지

44-SOP

71421LA25J8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

52-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

52-PLCC (19.13x19.13)

MTFC128GAPALNA-AAT ES

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CY7C199CN-12VXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOJ

AT29LV256-25TI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ms

접근 시간

250ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

28-TSOP

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