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M95512-RDW6TP

M95512-RDW6TP

참조 용

부품 번호 M95512-RDW6TP
PNEDA 부품 번호 M95512-RDW6TP
설명 IC EEPROM 512K SPI 16MHZ 8TSSOP
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 27,196
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

M95512-RDW6TP 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M95512-RDW6TP
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M95512-RDW6TP, M95512-RDW6TP 데이터 시트 (총 페이지: 54, 크기: 918.07 KB)
PDFM95512-RMC6TG 데이터 시트 표지
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M95512-RDW6TP 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기512Kb (64K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수16MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간-
전압-공급1.8V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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기술

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메모리 크기

256Mb (8M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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메모리 크기

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

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접근 시간

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작동 온도

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장착 유형

-

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시리즈

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메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

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메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

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작동 온도

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

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메모리 크기

16Gb (512M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1.6GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

0.6V, 1.1V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

200-WFBGA

공급자 장치 패키지

200-WFBGA (10x14.5)

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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