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M95M01-RMW6G

M95M01-RMW6G

참조 용

부품 번호 M95M01-RMW6G
PNEDA 부품 번호 M95M01-RMW6G
설명 IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8SO
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

M95M01-RMW6G 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호M95M01-RMW6G
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
M95M01-RMW6G, M95M01-RMW6G 데이터 시트 (총 페이지: 41, 크기: 411.85 KB)
PDFM95M01-RCS6TP/A 데이터 시트 표지
M95M01-RCS6TP/A 데이터 시트 페이지 2 M95M01-RCS6TP/A 데이터 시트 페이지 3 M95M01-RCS6TP/A 데이터 시트 페이지 4 M95M01-RCS6TP/A 데이터 시트 페이지 5 M95M01-RCS6TP/A 데이터 시트 페이지 6 M95M01-RCS6TP/A 데이터 시트 페이지 7 M95M01-RCS6TP/A 데이터 시트 페이지 8 M95M01-RCS6TP/A 데이터 시트 페이지 9 M95M01-RCS6TP/A 데이터 시트 페이지 10 M95M01-RCS6TP/A 데이터 시트 페이지 11

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M95M01-RMW6G 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수16MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간-
전압-공급1.8V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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Micron Technology Inc.

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메모리 유형

Non-Volatile

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기술

FLASH - NOR

메모리 크기

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA (6x9)

MT49H32M18CSJ-18:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (32M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

533MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

15ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

144-TFBGA

공급자 장치 패키지

144-FBGA (18.5x11)

AT93C46A-10SI-2.5

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

AT24CS64-XHM-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

550ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

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메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

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