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MA4P1250NM-1072T

MA4P1250NM-1072T

참조 용

부품 번호 MA4P1250NM-1072T
PNEDA 부품 번호 MA4P1250NM-1072T
설명 RF DIODE PIN 100V 6W MELF
제조업체 M/A-Com Technology Solutions
단가 견적 요청
재고 있음 26,868
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MA4P1250NM-1072T 리소스

브랜드 M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MA4P1250NM-1072T
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
MA4P1250NM-1072T, MA4P1250NM-1072T 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 2,305.78 KB)
PDFMA4P1450-1091T 데이터 시트 표지
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MA4P1250NM-1072T 사양

제조업체M/A-Com Technology Solutions
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)100V
현재-최대-
커패시턴스 @ Vr, F1.2pF @ 50V, 1MHz
저항 @ If, F750mOhm @ 50mA, 100MHz
전력 손실 (최대)6W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지 / 케이스2-SMD
공급자 장치 패키지-

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전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

130mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.75pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 10kHz

전력 손실 (최대)

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

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현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.45pF @ 1V, 1MHz

저항 @ If, F

4.8Ohm @ 1mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

2-SMD, Flat Lead

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다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

40V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.6pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Anti-Parallel

전압-피크 역방향 (최대)

80V

현재-최대

3.75A

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 0V, 100MHz

저항 @ If, F

500mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

4.7W

작동 온도

175°C (TJ)

패키지 / 케이스

8-LQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-HQFN (4x4)

HSMS-2818-TR2G

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제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Bridge

전압-피크 역방향 (최대)

20V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

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150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

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