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MAX15025BATB+T

MAX15025BATB+T

참조 용

부품 번호 MAX15025BATB+T
PNEDA 부품 번호 MAX15025BATB-T
설명 IC GATE DRVR 2CH 16NS 10TDFN
제조업체 Maxim Integrated
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MAX15025BATB+T 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MAX15025BATB+T
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
MAX15025BATB+T, MAX15025BATB+T 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 442.87 KB)
PDFMAX15025BATB+ 데이터 시트 표지
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MAX15025BATB+T 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈Automotive, AEC-Q100
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급6.5V ~ 28V
논리 전압-VIL, VIH2V, 4.25V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2A, 4A
입력 유형Inverting, Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)48ns, 32ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스10-WFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지10-TDFN-EP (3x3)

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

1.1V, 1.9V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 430mA

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

75ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

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구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

2.75V ~ 30V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

14-DIP

HIP2121FRTBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

1.4V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

114V

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

9-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

9-TDFN (4x4)

IR2130

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

28-PDIP

MIC4478YME-T5

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 32V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.5A, 2.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

120ns, 45ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

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