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MAX17601ASA+T

MAX17601ASA+T

참조 용

부품 번호 MAX17601ASA+T
PNEDA 부품 번호 MAX17601ASA-T
설명 IC MOSFET DRVR 4A DUAL 8SOIC
제조업체 Maxim Integrated
단가
1 ---------- $13.6467
100 ---------- $13.0070
250 ---------- $12.3673
500 ---------- $11.7277
750 ---------- $11.1946
1,000 ---------- $10.6615
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MAX17601ASA+T 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MAX17601ASA+T
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
MAX17601ASA+T, MAX17601ASA+T 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 1,221.87 KB)
PDFMAX17600ATA+T 데이터 시트 표지
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MAX17601ASA+T 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4V ~ 14V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.1V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)4A, 4A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)40ns, 25ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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구동 구성

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채널 유형

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게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

5.5V ~ 24V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

350ns, 250ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

32-SOIC

IR2102STR

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

210mA, 360mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

100ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IR2128SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

12V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 40ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MCP14A0901T-E/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

22ns, 22ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IR44273LTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

µHVIC™

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.6V, 2.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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