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MAX4426ESA+T

MAX4426ESA+T

참조 용

부품 번호 MAX4426ESA+T
PNEDA 부품 번호 MAX4426ESA-T
설명 IC MOSFET DRVR DUAL INV 8-SOIC
제조업체 Maxim Integrated
단가 견적 요청
재고 있음 47,395
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 1 - 4월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MAX4426ESA+T 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MAX4426ESA+T
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
MAX4426ESA+T, MAX4426ESA+T 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 683.03 KB)
PDFMAX4426C/D 데이터 시트 표지
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MAX4426ESA+T 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 18V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.4V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.5A, 1.5A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)20ns, 20ns
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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Linear Technology/Analog Devices

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구동 구성

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채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

3.5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

90ns, 40ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-MSOP-EP

ADP3635ARDZ-RL

Analog Devices

제조업체

Analog Devices Inc.

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

TC4426VOA713

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

19ns, 19ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

AUXDI2117STR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

-

채널 유형

-

드라이버 수

-

게이트 유형

-

전압-공급

-

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

UCC27211DDAR

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 17V

논리 전압-VIL, VIH

1.3V, 2.8V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

120V

상승 / 하강 시간 (일반)

7.2ns, 5.5ns

작동 온도

-40°C ~ 140°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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