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MAX5062DASA

MAX5062DASA

참조 용

부품 번호 MAX5062DASA
PNEDA 부품 번호 MAX5062DASA_5B
설명 IC MOSFET DRIVER 8-SOIC
제조업체 Maxim Integrated
단가 견적 요청
재고 있음 8,460
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MAX5062DASA 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MAX5062DASA
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
MAX5062DASA, MAX5062DASA 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 105.22 KB)
PDFMAX14676CEWO+T 데이터 시트 표지
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MAX5062DASA 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급8V ~ 12.6V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2A, 2A
입력 유형Inverting, Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)125V
상승 / 하강 시간 (일반)65ns, 65ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-SOIC-EP

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Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 12.6V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

175V

상승 / 하강 시간 (일반)

65ns, 65ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

ISL6208IBZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.5V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

33V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

DGD21032S8-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

70ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

제조업체

IXYS

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

6V, 9.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 17ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

18-SOIC

IR2011S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.7V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

200V

상승 / 하강 시간 (일반)

35ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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