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MB85R256FPF-G-BND-ERE1

MB85R256FPF-G-BND-ERE1

참조 용

부품 번호 MB85R256FPF-G-BND-ERE1
PNEDA 부품 번호 MB85R256FPF-G-BND-ERE1
설명 IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP
제조업체 Fujitsu Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 4,338
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MB85R256FPF-G-BND-ERE1 리소스

브랜드 Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MB85R256FPF-G-BND-ERE1
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MB85R256FPF-G-BND-ERE1, MB85R256FPF-G-BND-ERE1 데이터 시트 (총 페이지: 36, 크기: 1,697.98 KB)
PDFMB85R256FPF-G-BND-ERE1 데이터 시트 표지
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MB85R256FPF-G-BND-ERE1 사양

제조업체Fujitsu Electronics America, Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FRAM
기술FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지150ns
접근 시간150ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지28-SOP

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메모리 유형

Non-Volatile

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기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (13x11)

MT42L128M64D4LD-3 IT:A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR2

메모리 크기

8Gb (128M x 64)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.3V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

220-VFBGA

공급자 장치 패키지

220-FBGA (14x14)

S34ML04G100TFV000

SkyHigh Memory Limited

제조업체

SkyHigh Memory Limited

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CY62167DV30LL-70BVIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-VFBGA (8x9.5)

NM24C03N

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

100kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

3.5µs

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

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