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MB85R4002ANC-GE1

MB85R4002ANC-GE1

참조 용

부품 번호 MB85R4002ANC-GE1
PNEDA 부품 번호 MB85R4002ANC-GE1
설명 IC FRAM 4M PARALLEL 48TSOP
제조업체 Fujitsu Electronics
단가
1 ---------- $278.7517
50 ---------- $265.6853
100 ---------- $252.6188
200 ---------- $239.5523
400 ---------- $228.6635
500 ---------- $217.7748
재고 있음 413
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MB85R4002ANC-GE1 리소스

브랜드 Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MB85R4002ANC-GE1
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MB85R4002ANC-GE1, MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 (총 페이지: 28, 크기: 1,120.84 KB)
PDFMB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 표지
MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 페이지 2 MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 페이지 3 MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 페이지 4 MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 페이지 5 MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 페이지 6 MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 페이지 7 MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 페이지 8 MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 페이지 9 MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 페이지 10 MB85R4002ANC-GE1 데이터 시트 페이지 11

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MB85R4002ANC-GE1 사양

제조업체Fujitsu Electronics America, Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FRAM
기술FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지150ns
접근 시간150ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
공급자 장치 패키지48-TSOP

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제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

64Kb (4K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-FlatPack

공급자 장치 패키지

84-FLATPAK

MT46V16M8TG-75:D TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

750ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP

CY7C1440AV33-250AXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

36Mb (1M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

2.6ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

W25X16VSFIG

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

SpiFlash®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

75MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

W25Q32BVZPJP TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

SpiFlash®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON (6x5)

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