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MBD101G

MBD101G

참조 용

부품 번호 MBD101G
PNEDA 부품 번호 MBD101G
설명 RF DIODE SCHOTTKY 7V 280MW TO92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,988
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBD101G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBD101G
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
MBD101G, MBD101G 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 90.31 KB)
PDFMBD101G 데이터 시트 표지
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MBD101G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky - Single
전압-피크 역방향 (최대)7V
현재-최대-
커패시턴스 @ Vr, F1pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F-
전력 손실 (최대)280mW
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
공급자 장치 패키지TO-92

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시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

200V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

CLA4611-085LF

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제조업체

Skyworks Solutions Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

180V

현재-최대

1.5A

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 38V, 1MHz

저항 @ If, F

1.2Ohm @ 10mA, 500MHz

전력 손실 (최대)

2W

작동 온도

175°C (TJ)

패키지 / 케이스

2-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

3-QFN (2x2)

MA4P7102F-1072T

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

200V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

500mOhm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

11.5W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

패키지 / 케이스

2-SMD

공급자 장치 패키지

-

BAR6405WH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

150V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

1.35Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

PG-SOT323-3

BAR9002LRHE6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

80V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 1V, 1MHz

저항 @ If, F

800mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SOD-882

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