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MBD330DWT1G

MBD330DWT1G

참조 용

부품 번호 MBD330DWT1G
PNEDA 부품 번호 MBD330DWT1G
설명 RF DIODE SCHOTTKY 30V 120MW SC88
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $7.8903
100 ---------- $7.5204
250 ---------- $7.1506
500 ---------- $6.7807
750 ---------- $6.4725
1,000 ---------- $6.1643
재고 있음 10,508
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MBD330DWT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBD330DWT1G
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
MBD330DWT1G, MBD330DWT1G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 103.09 KB)
PDFMBD110DWT1G 데이터 시트 표지
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MBD330DWT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky - 2 Independent
전압-피크 역방향 (최대)30V
현재-최대-
커패시턴스 @ Vr, F1.5pF @ 15V, 1MHz
저항 @ If, F-
전력 손실 (최대)120mW
작동 온도-55°C ~ 125°C (TJ)
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-88/SC70-6/SOT-363

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

500V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.2pF @ 100V, 1MHz

저항 @ If, F

600mOhm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

175°C (TJ)

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

HSCH-5332

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

-

전압-피크 역방향 (최대)

-

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

175V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

1.35Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

5082-2811

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

20mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

-

HBAT-540B-TR2G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

430mA

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

825mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

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