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MBR10100CT-E1

MBR10100CT-E1

참조 용

부품 번호 MBR10100CT-E1
PNEDA 부품 번호 MBR10100CT-E1
설명 DIODE SCHOTTKY 100V 5A ITO220S
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 5,706
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 28 - 5월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBR10100CT-E1 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBR10100CT-E1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MBR10100CT-E1, MBR10100CT-E1 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 478.63 KB)
PDFMBR10100CT 데이터 시트 표지
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MBR10100CT-E1 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If850mV @ 5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 100V
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220-3

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 300A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5mA @ 1600V

작동 온도-접합

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장착 유형

Chassis Mount

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

8A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

90µA @ 650V

작동 온도-접합

175°C (Max)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-247

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 150mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

6ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 100V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

250µA @ 200V

작동 온도-접합

-40°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Taiwan Semiconductor Corporation

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

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620mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 120V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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