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MBR200150CTR

MBR200150CTR

참조 용

부품 번호 MBR200150CTR
PNEDA 부품 번호 MBR200150CTR
설명 DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,848
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 12 - 2월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBR200150CTR 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBR200150CTR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MBR200150CTR, MBR200150CTR 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 711.24 KB)
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MBR200150CTR 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Anode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)150V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)100A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If880mV @ 100A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr3mA @ 150V
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Twin Tower
공급자 장치 패키지Twin Tower

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

740mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 50V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 25V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 25A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 100V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-3PW

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

2500V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

240A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.75V @ 800A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 2500V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

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80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

910mV @ 40A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.25mA @ 80V

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