MBR200200CT
참조 용
| 부품 번호 | MBR200200CT |
| PNEDA 부품 번호 | MBR200200CT |
| 설명 | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,518 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 7 - 2월 12 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MBR200200CT 리소스
| 브랜드 | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MBR200200CT |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-배열 |
| 데이터 시트 |
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MBR200200CT 사양
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 구성 | 1 Pair Common Cathode |
| 다이오드 유형 | Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 200V |
| 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 100A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 920mV @ 100A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 3mA @ 200V |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | Twin Tower |
| 공급자 장치 패키지 | Twin Tower |
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제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 50A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 50V 작동 온도-접합 - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Three Tower 공급자 장치 패키지 Three Tower |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101, eSMP® 다이오드 구성 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.05V @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 24ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 200V 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-277, 3-PowerDFN 공급자 장치 패키지 TO-277A (SMPC) |
