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MBR30H100MFST1G

MBR30H100MFST1G

참조 용

부품 번호 MBR30H100MFST1G
PNEDA 부품 번호 MBR30H100MFST1G
설명 DIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,820
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBR30H100MFST1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBR30H100MFST1G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MBR30H100MFST1G, MBR30H100MFST1G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 85.4 KB)
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MBR30H100MFST1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)30A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 30A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN, 5 Leads
공급자 장치 패키지5-DFN (5x6) (8-SOFL)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

500V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 500V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

50A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 50A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

100pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SRA

공급자 장치 패키지

SRA

작동 온도-접합

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

7A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

570mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4mA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

1430pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

P600, Axial

공급자 장치 패키지

P600

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1600V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 1.5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

4µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

475mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

200pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

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