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MBR3520R

MBR3520R

참조 용

부품 번호 MBR3520R
PNEDA 부품 번호 MBR3520R
설명 DIODE SCHOTTKY REV 20V DO4
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,538
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 26 - 3월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBR3520R 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBR3520R
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MBR3520R, MBR3520R 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 794.3 KB)
PDFMBR3540R 데이터 시트 표지
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MBR3520R 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky, Reverse Polarity
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)20V
전류-평균 정류 (Io)35A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If680mV @ 35A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr1.5mA @ 20V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AA, DO-4, Stud
공급자 장치 패키지DO-4
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1500V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 6A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1µs

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1500V

커패시턴스 @ Vr, F

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

800A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.86V @ 1930A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

15mA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Clamp On

패키지 / 케이스

DO-200AA, A-PUK

공급자 장치 패키지

DO-200AA, A-PUK

작동 온도-접합

-

GP08JHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

800mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 800mA

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

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S8CJHM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

985mV @ 8A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

4µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

79pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1.5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

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