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MBR40H35PT-E3/45

MBR40H35PT-E3/45

참조 용

부품 번호 MBR40H35PT-E3/45
PNEDA 부품 번호 MBR40H35PT-E3-45
설명 DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO3P
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBR40H35PT-E3/45 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBR40H35PT-E3/45
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
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  • MBR40H35PT-E3/45 Distributor

MBR40H35PT-E3/45 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)35V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)40A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If730mV @ 40A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr150µA @ 35V
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

45ns

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 300V

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

975mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 150V

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 30mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

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1ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 30V

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장착 유형

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740mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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100µA @ 120V

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

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속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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