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MBR5H100MFST1G

MBR5H100MFST1G

참조 용

부품 번호 MBR5H100MFST1G
PNEDA 부품 번호 MBR5H100MFST1G
설명 DIODE SCHOTTKY 100V 5A 5DFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 92,202
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 6 - 5월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBR5H100MFST1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBR5H100MFST1G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MBR5H100MFST1G, MBR5H100MFST1G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 99.98 KB)
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MBR5H100MFST1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈SWITCHMODE™
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If730mV @ 5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN, 5 Leads
공급자 장치 패키지5-DFN (5x6) (8-SOFL)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

R5000-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

5000V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

5V @ 40V

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-15

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

FDH300A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

125V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1nA @ 125V

커패시턴스 @ Vr, F

6pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

작동 온도-접합

175°C (Max)

STPS5045SG-TR

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

50A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

610mV @ 50A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

360µA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK

작동 온도-접합

200°C (Max)

AIDW10S65C5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 10A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

60µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

303pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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