MBR5H150VPB-G1
참조 용
| 부품 번호 | MBR5H150VPB-G1 |
| PNEDA 부품 번호 | MBR5H150VPB-G1 |
| 설명 | DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27 |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,508 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MBR5H150VPB-G1 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MBR5H150VPB-G1 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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MBR5H150VPB-G1 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 150V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 5A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 920mV @ 5A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 8µA @ 150V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-201AA, DO-27, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-27 |
| 작동 온도-접합 | 175°C (Max) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.75V @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 30µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 TO-263AB 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 25ns 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지 DO-214AC (SMA) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 6A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 780mV @ 6A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 30µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 PowerFlat™ (3.3x3.3) 작동 온도-접합 150°C (Max) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolSiC™+ 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 30A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 30A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 1.1mA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 860pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 PG-TO247-3 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP® 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 250ns 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-220AA 공급자 장치 패키지 DO-220AA (SMP) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
