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MBR5H150VPTR-G1

MBR5H150VPTR-G1

참조 용

부품 번호 MBR5H150VPTR-G1
PNEDA 부품 번호 MBR5H150VPTR-G1
설명 DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 8,532
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 26 - 3월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBR5H150VPTR-G1 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBR5H150VPTR-G1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MBR5H150VPTR-G1, MBR5H150VPTR-G1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 417.18 KB)
PDFMBR5H150VPTR-G1 데이터 시트 표지
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  • MBR5H150VPTR-G1 Distributor

MBR5H150VPTR-G1 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)150V
전류-평균 정류 (Io)5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If920mV @ 5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr8µA @ 150V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-201AA, DO-27, Axial
공급자 장치 패키지DO-27
작동 온도-접합175°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

780ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

5pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

MicroSMP

공급자 장치 패키지

MicroSMP (DO-219AD)

작동 온도-접합

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.85V @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

100ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AA, DO-27, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

R6021035ESYA

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

350A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 800A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-205AB, DO-9, Stud

공급자 장치 패키지

DO-205AB, DO-9

작동 온도-접합

-45°C ~ 150°C

R6030225HSYA

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

250A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2V @ 800A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1µs

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-205AB, DO-9, Stud

공급자 장치 패키지

DO-205AB, DO-9

작동 온도-접합

-45°C ~ 150°C

RBR1MM30ATR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

480mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

PMDU

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