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MBR600150CT

MBR600150CT

참조 용

부품 번호 MBR600150CT
PNEDA 부품 번호 MBR600150CT
설명 DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,606
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBR600150CT 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBR600150CT
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MBR600150CT, MBR600150CT 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 712.93 KB)
PDFMBR600200CTR 데이터 시트 표지
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MBR600150CT 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)150V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)300A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If880mV @ 300A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr3mA @ 150V
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Twin Tower
공급자 장치 패키지Twin Tower

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

400A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 400A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 35V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 300V

작동 온도-접합

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장착 유형

Through Hole

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-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

45ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

75mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 50mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 75V

작동 온도-접합

125°C (Max)

장착 유형

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1 Pair Common Cathode

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Schottky

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45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

55A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

540mV @ 55A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

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3mA @ 45V

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