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MBR6045WTG

MBR6045WTG

참조 용

부품 번호 MBR6045WTG
PNEDA 부품 번호 MBR6045WTG
설명 DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $5.6507
250 ---------- $5.3858
500 ---------- $5.1209
1,000 ---------- $4.8561
2,500 ---------- $4.6353
5,000 ---------- $4.4146
재고 있음 455
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MBR6045WTG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBR6045WTG
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MBR6045WTG, MBR6045WTG 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 51.42 KB)
PDFMBR6045WT 데이터 시트 표지
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MBR6045WTG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈SWITCHMODE™
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)45V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)30A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If620mV @ 30A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr1mA @ 45V
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247

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Taiwan Semiconductor Corporation

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1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 40V

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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TO-263AB (D²PAK)

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 150A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 50V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

TO-244AB

공급자 장치 패키지

TO-244

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시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Series Connection

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 100mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

20µs

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 75V

작동 온도-접합

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

UB

MBRF3080CT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

940mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 80V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

공급자 장치 패키지

ITO-220AB

MBRTA60080R

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

300A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 300A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 80V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

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