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MBRB10H60HE3/81

MBRB10H60HE3/81

참조 용

부품 번호 MBRB10H60HE3/81
PNEDA 부품 번호 MBRB10H60HE3-81
설명 DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO263AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 2,520
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBRB10H60HE3/81 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBRB10H60HE3/81
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MBRB10H60HE3/81, MBRB10H60HE3/81 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 124.4 KB)
PDFMBRF10H50HE3/45 데이터 시트 표지
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  • MBRB10H60HE3/81 Distributor

MBRB10H60HE3/81 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)60V
전류-평균 정류 (Io)10A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If710mV @ 10A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 60V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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Infineon Technologies

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.1V @ 10A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

90µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

290pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

120V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 120V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

공급자 장치 패키지

ITO-220AB

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제조업체

IXYS

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

69A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.08V @ 60A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-2

공급자 장치 패키지

TO-247AD

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

EU 2A

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제조업체

Sanken

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

400ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

S3JB R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 3A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

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