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MBRD660CTG

MBRD660CTG

참조 용

부품 번호 MBRD660CTG
PNEDA 부품 번호 MBRD660CTG
설명 DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBRD660CTG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBRD660CTG
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MBRD660CTG, MBRD660CTG 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 168.4 KB)
PDFMBRD620CTT4 데이터 시트 표지
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MBRD660CTG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈SWITCHMODE™
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)60V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If700mV @ 3A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 60V
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지DPAK

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1 Pair Common Cathode

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Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 45V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

770mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4.5µA @ 100V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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TO-263AB

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시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

975mV @ 200A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

100ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 200V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Screw Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-VSKJS209/150

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.01V @ 100A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

6mA @ 150V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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Toshiba Semiconductor and Storage

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-

다이오드 구성

4 Common Anode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 80V

작동 온도-접합

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장착 유형

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