MBRF200100R
참조 용
| 부품 번호 | MBRF200100R |
| PNEDA 부품 번호 | MBRF200100R |
| 설명 | DIODE SCHOTTKY 100V 60A TO244AB |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,136 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 23 - 4월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MBRF200100R 리소스
| 브랜드 | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MBRF200100R |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-배열 |
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MBRF200100R 사양
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 구성 | 1 Pair Common Anode |
| 다이오드 유형 | Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 100V |
| 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 60A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 840mV @ 60A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1mA @ 100V |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-244AB |
| 공급자 장치 패키지 | TO-244AB |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 60A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 200A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5mA @ 1200V 작동 온도-접합 - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 D1 공급자 장치 패키지 D1 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 다이오드 구성 8 Independent 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 75V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 200mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 4ns 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 50V 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 16-DIP |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 300V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 30A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.25V @ 30A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 55ns 전류-역방향 누설 @ Vr 60µA @ 300V 작동 온도-접합 175°C (Max) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247-3 |
