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MBRF60030

MBRF60030

참조 용

부품 번호 MBRF60030
PNEDA 부품 번호 MBRF60030
설명 DIODE SCHOTTKY 30V 300A TO244AB
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,046
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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MBRF60030 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBRF60030
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열

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MBRF60030 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)300A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If650mV @ 300A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10mA @ 20V
작동 온도-접합-40°C ~ 175°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스TO-244AB
공급자 장치 패키지TO-244AB

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

870mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

8.2ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

작동 온도-접합

150°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 40V

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

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SMC Diode Solutions

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-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

680mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5mA @ 40V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

PRM3

공급자 장치 패키지

PRM3

GP1607 C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 8A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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Through Hole

패키지 / 케이스

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45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

530mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

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