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MBRH20035

MBRH20035

참조 용

부품 번호 MBRH20035
PNEDA 부품 번호 MBRH20035
설명 DIODE SCHOTTKY 35V 200A D-67
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,294
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 16 - 3월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBRH20035 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBRH20035
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MBRH20035, MBRH20035 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 662.3 KB)
PDFMBRH20040R 데이터 시트 표지
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  • MBRH20035 Distributor

MBRH20035 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)35V
전류-평균 정류 (Io)200A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If650mV @ 200A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr5mA @ 20V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스D-67
공급자 장치 패키지D-67
작동 온도-접합-

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Diodes Incorporated

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerDI™ 5

공급자 장치 패키지

PowerDI™ 5

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

1N4004GHB0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

CD0603-B0240

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제조업체

Bourns Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

12pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

0603 (1608 Metric)

공급자 장치 패키지

0603

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

ES1AL RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

1N5821

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

190pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

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