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MBRH240150

MBRH240150

참조 용

부품 번호 MBRH240150
PNEDA 부품 번호 MBRH240150
설명 DIODE SCHOTTKY 150V 240A D67
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,570
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBRH240150 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBRH240150
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MBRH240150, MBRH240150 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 649.85 KB)
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MBRH240150 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)150V
전류-평균 정류 (Io)240A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If880mV @ 240A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr1mA @ 150V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스D-67
공급자 장치 패키지D-67
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SMB

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

175°C (Max)

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Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

35pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

FESE16CT-E3/45

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

975mV @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

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