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MBRM110LT1G

MBRM110LT1G

참조 용

부품 번호 MBRM110LT1G
PNEDA 부품 번호 MBRM110LT1G
설명 DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 494,124
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBRM110LT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBRM110LT1G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MBRM110LT1G, MBRM110LT1G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 151.35 KB)
PDFNRVBM110LT1G 데이터 시트 표지
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MBRM110LT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)10V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If365mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500µA @ 10V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-216AA
공급자 장치 패키지Powermite
작동 온도-접합-55°C ~ 125°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 40A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

-65°C ~ 190°C

FFB06U40STM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 6A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

MBR3540

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

35A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

680mV @ 35A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.5mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-4

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

POWERMITE®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

Powermite

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

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