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MBRT40035R

MBRT40035R

참조 용

부품 번호 MBRT40035R
PNEDA 부품 번호 MBRT40035R
설명 DIODE MODULE 35V 400A 3TOWER
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,030
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBRT40035R 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBRT40035R
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MBRT40035R, MBRT40035R 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 722.01 KB)
PDFMBRT40040R 데이터 시트 표지
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MBRT40035R 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Anode
다이오드 유형Schottky, Reverse Polarity
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)35V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)400A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If750mV @ 200A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr1mA @ 20V
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Three Tower
공급자 장치 패키지Three Tower

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600V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

3.6V @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 600V

작동 온도-접합

150°C (Max)

장착 유형

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다이오드 구성

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

215mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 150mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

6ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2.5µA @ 70V

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.01V @ 100A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

6mA @ 150V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

2200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

883A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

18µs

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 2200V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

MBRTA40045RL

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 200A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5mA @ 45V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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