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MBT3906DW1T2G

MBT3906DW1T2G

참조 용

부품 번호 MBT3906DW1T2G
PNEDA 부품 번호 MBT3906DW1T2G
설명 TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBT3906DW1T2G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBT3906DW1T2G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
MBT3906DW1T2G, MBT3906DW1T2G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 285.4 KB)
PDFMBT3906DW1T2G 데이터 시트 표지
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MBT3906DW1T2G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 1V
전력-최대150mW
주파수-전환250MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-88/SC70-6/SOT-363

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2 NPN (Dual)

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200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

200mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

PBSS5130PAP,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

280mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

170 @ 500mA, 2V

전력-최대

510mW

주파수-전환

125MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-HUSON-EP (2x2)

HN2C01FU-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

전력-최대

200mW

주파수-전환

80MHz

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

US6

BC856S-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

전력-최대

200mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

2N6502

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

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장착 유형

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