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MC1331-2

MC1331-2

참조 용

부품 번호 MC1331-2
PNEDA 부품 번호 MC1331-2
설명 RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,160
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 20 - 4월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MC1331-2 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MC1331-2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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MC1331-2 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5.5V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

이득

11dB ~ 13dB

전력-최대

100mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 2.7V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

BF959RL1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

주파수-전환

700MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

이득

-

전력-최대

625mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

46007T

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BFP405E6327BTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5V

주파수-전환

25GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

이득

23dB

전력-최대

75mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 4V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

PG-SOT343-4

40036S

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

-

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