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MC33152DG

MC33152DG

참조 용

부품 번호 MC33152DG
PNEDA 부품 번호 MC33152DG
설명 IC DRIVER MOSFET DUAL HS 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 14,778
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 20 - 4월 25 (신속 배송 선택)
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MC33152DG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MC33152DG
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
MC33152DG, MC33152DG 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 301.32 KB)
PDFMC34152DR2 데이터 시트 표지
MC34152DR2 데이터 시트 페이지 2 MC34152DR2 데이터 시트 페이지 3 MC34152DR2 데이터 시트 페이지 4 MC34152DR2 데이터 시트 페이지 5 MC34152DR2 데이터 시트 페이지 6 MC34152DR2 데이터 시트 페이지 7 MC34152DR2 데이터 시트 페이지 8 MC34152DR2 데이터 시트 페이지 9 MC34152DR2 데이터 시트 페이지 10 MC34152DR2 데이터 시트 페이지 11

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MC33152DG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급6.1V ~ 18V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.6V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.5A, 1.5A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)36ns, 32ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

IXYS

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 30V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

9ns, 8ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-DFN (4x5)

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.75V ~ 32V

논리 전압-VIL, VIH

2V, 4.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IRS21834SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.9A, 2.3A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

ISL6594ACR

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-DFN (3x3)

IRS2117STRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

6V, 9.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

75ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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