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MC33HB2000EKR2

MC33HB2000EKR2

참조 용

부품 번호 MC33HB2000EKR2
PNEDA 부품 번호 MC33HB2000EKR2
설명 H-BRIDGE SPI BRUSHED DC MOTOR
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,250
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 23 - 3월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MC33HB2000EKR2 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MC33HB2000EKR2
분류반도체전력 관리 ICPMIC-풀, 하프 브리지 드라이버
데이터 시트
MC33HB2000EKR2, MC33HB2000EKR2 데이터 시트 (총 페이지: 55, 크기: 3,242.99 KB)
PDFMC33HB2000EK 데이터 시트 표지
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MC33HB2000EKR2 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
출력 구성Half Bridge
응용 프로그램DC Motors, General Purpose
인터페이스Logic, PWM, SPI
로드 유형Inductive
기술Power MOSFET
Rds On (일반)235mOhm LS + HS (Max)
전류-출력 / 채널3A
전류-피크 출력16A
전압-공급3.3V ~ 5V
전압-부하5V ~ 28V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
특징Charge Pump, Slew Rate Controlled, Status Flag
오류 보호Over Temperature, Short Circuit, UVLO
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-SSOP (0.295", 7.50mm Width) Exposed Pad
공급자 장치 패키지32-SOIC-EP

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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출력 구성

Half Bridge

응용 프로그램

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인터페이스

PWM

로드 유형

Inductive

기술

DrMOS

Rds On (일반)

-

전류-출력 / 채널

35A

전류-피크 출력

80A

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

전압-부하

3V ~ 14V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

특징

Bootstrap Circuit

오류 보호

Shoot-Through, UVLO

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

40-WFQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

40-MLP (6x6)

IRS2007SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

출력 구성

Half Bridge (2)

응용 프로그램

Battery Powered

인터페이스

Logic

로드 유형

-

기술

Power MOSFET

Rds On (일반)

-

전류-출력 / 채널

600mA

전류-피크 출력

-

전압-공급

10V ~ 20V

전압-부하

200V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

특징

-

오류 보호

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-SOIC

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제조업체

시리즈

NexFET™

출력 구성

Half Bridge

응용 프로그램

Synchronous Buck Converters

인터페이스

PWM

로드 유형

Inductive

기술

Power MOSFET

Rds On (일반)

-

전류-출력 / 채널

10A

전류-피크 출력

15A

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

전압-부하

24V (Max)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

특징

Bootstrap Circuit

오류 보호

Shoot-Through

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVFDFN

공급자 장치 패키지

8-VSON (3.5x4.5)

STK544UC62K-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

출력 구성

Half Bridge (3)

응용 프로그램

AC Motors

인터페이스

Logic

로드 유형

Inductive

기술

IGBT

Rds On (일반)

-

전류-출력 / 채널

10A

전류-피크 출력

20A

전압-공급

12.5V ~ 17.5V

전압-부하

450V (Max)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

특징

Bootstrap Circuit

오류 보호

Shoot-Through, UVLO

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

23-SIP, 19 Leads, Formed Leads

공급자 장치 패키지

23-SIP-1

CSD97396Q4M

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

출력 구성

Half Bridge

응용 프로그램

Synchronous Buck Converters

인터페이스

PWM

로드 유형

Inductive

기술

Power MOSFET

Rds On (일반)

-

전류-출력 / 채널

30A

전류-피크 출력

65A

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

전압-부하

4.5V ~ 24V

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

특징

Bootstrap Circuit, Diode Emulation

오류 보호

Shoot-Through

장착 유형

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패키지 / 케이스

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